El transistor UJT (transistor de unión única) es un semiconductor con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Se trata de un dispositivo especializado pero de estructura muy sencilla. Está formado por una lámina de silicio tipo N que lleva una conexión no rectificadora en cada uno de sus extremos (base 2 y base 1), y un tercer contacto rectificador (emisor) en un punto intermedio a lo largo de la lámina de silicio, constituyendo la unión única. Cuando se polariza el transistor la lámina de silicio tipo N actúa como un divisor de tensión formado por Rb2 y Rb1 y al aplicar una tensión Vbb entre B2 y B1, aparece una tensión cuyo valor es Vbb.R entre los extremos de Rb1 y por lo tanto en el cátodo del diodo. Si bajo estas condiciones se aplica una tensión positiva de entrada entre emisor y base 1 cuyo valor sea superior a R.Vbb+Vd, en ese momento el diodo conducirá y se iniciará la circulación de corriente entre emisor y base 2. (R es la relación intrínseca).
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