Abreviatura inglesa de transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor. Se desglosa en dos tipos de MOSFET los de tipo incremental (canal p) y los de tipo decremental (canal n). Su estabilidad térmica, su gran impedancia de entrada y su diminuto tamaño de fabricación hacen de él un elemento básico en la construcción de circuitos integrados digitales. MOSFET TIPO N: Corriente de trabajo negativas. Utiliza los electrones como portadores de carga para conducir corriente en un canal semiconductor. El canal tiene una carga predominantemente negativa. MOSFET TIPO P: Corriente de trabajo positiva. Son más lentos que los NMOS, es decir, presentan una velocidad de operación menor, por ser los huecos los portadores de carga que presentan una movilidad menor. Por este motivo están siendo reemplazados por los NMOS.
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