Semiconductor constituido por una unión PN polarizada en sentido inverso, de modo que se crea una zona de difusión desprovista de portadores cuya anchura depende del potencial aplicado. Cuando no llegue ninguna radiación luminosa a esa zona, los electrones no tienen energía suficiente para atravesarla y la corriente será prácticamente nula (corriente de oscuridad). Cuando la radiación luminosa de longitud de onda adecuada incide en la zona de difusión, se crean pares electrón-hueco que son atraídos por el campo eléctrico aplicado, resultando una corriente inversa por la unión NP, proporcional a la energía absorbida.
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