Adición de unidades controladas de impurezas a un semiconductor para conseguir de éste unas características deseadas, tal como producir un material tipo n o tipo p. Se lleva a cabo mediante difusión térmica o implantación iónica. Los agentes impurificadores más comunes para el germanio y el silicio son elementos semimetálicos como el aluminio, antimonio, arsénico, galio e indio.
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