Es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares en un tándem (a veces llamado par darlington). Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente (parámetro ² del transistor) y al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la misma configuración. La ganancia total del darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo típico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. También tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un único transistor, de ahí que pueda convertirse fácilmente en inestable. La tensión base-emisor es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, para transistores de silicio, superior a 1,2 V.
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